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   1廢硅片回收滾磨
　　切片前先將硅單晶棒研磨成具有精確直徑的單晶棒,再沿單晶棒的晶軸方向研磨出主、次參考面,用氫氟酸、硝酸和冰醋酸的混合液腐蝕研磨面，稱為減徑腐蝕。
　　2廢硅片回收切割
　　也稱切片，把硅單晶棒切成所需形狀的硅片（如圓片）的工藝。切割分多線切割、外圓切割、超聲切割、電子束切割和普遍采用的內(nèi)圓切割等。
　　3廢硅片回收研磨
　　也稱磨片，在研磨機(jī)上，用白剛玉或金剛砂等配制的研磨液將硅片研磨成具有一定厚度和光潔度的工藝。有單面研磨和雙面研磨兩種方式。
　　4廢硅片回收倒角
　　為解決硅片邊緣碎裂所引起的表面質(zhì)量下降，以及光刻涂膠和外延的邊緣凸起等問(wèn)題的邊緣弧形工藝。倒角方法有磨削、噴砂、化學(xué)腐蝕和恰當(dāng)?shù)膾伖獾�，較普遍采用的是用倒角機(jī)以成型的砂輪磨削硅片邊緣，直到硅片邊緣形狀與輪的形狀一致為止。
　　5廢硅片回收化學(xué)腐蝕
　　也稱減薄腐蝕，目的是除去切磨后硅片表面的損傷層和沾污層，改善表面質(zhì)量和提高表面平整度�；瘜W(xué)腐蝕法有籃式、桶式、旋轉(zhuǎn)桿式和盒式，采用氫氟酸、硝酸和冰醋酸的混合液從硅片兩側(cè)腐蝕掉一定的厚度。
　　6廢硅片回收拋光
　　為了制備合乎器件和集成電路制作要求的硅片表面，必須進(jìn)行拋光，以除去殘留的損傷層并獲得一定厚度的高平整度的鏡面硅片。拋光分機(jī)械拋光、化學(xué)拋光、電子束拋光、離子束拋光，較普遍采用的是化學(xué)機(jī)械拋光�；瘜W(xué)機(jī)械拋光是化學(xué)腐蝕和機(jī)械磨削同時(shí)進(jìn)行，分為銅離子拋光、鉻離子拋光和普遍采用的二氧化硅膠體拋光。二氧化硅膠體拋光是由極細(xì)的二氧化硅粉、氫氧化鈉（或有機(jī)堿）和水配制成膠體拋光液。在拋光過(guò)程中，氫氧化鈉與硅表面反應(yīng)生成硅酸鈉，通過(guò)與二氧化硅膠體的磨削，硅酸鈉進(jìn)入拋光液，兩個(gè)過(guò)程不停頓地同時(shí)進(jìn)行而達(dá)到拋光的目的。根據(jù)不同要求，可用一次拋光、二次拋光(粗拋光和精拋光)或三次拋光（粗拋光、中間拋光和精拋光）。為滿足超大規(guī)模集成電路對(duì)表面質(zhì)量和平整度的要求，已有無(wú)蠟拋光和無(wú)磨料拋光等新工藝。
　　7廢硅片回收拋光片檢測(cè)
　　包括目檢、幾何尺寸檢測(cè)和熱氧化層錯(cuò)檢測(cè)等。目檢是在正面高強(qiáng)度光或大面積散射光照射下目測(cè)拋光片上的原生缺陷和二次缺陷。這些缺陷包括邊緣碎裂、沾污、裂紋、弧坑、鴉爪、波紋、槽、霧、嵌入磨料顆粒、小丘、桔皮、淺坑、劃道、亮點(diǎn)、退刀痕和雜質(zhì)條紋等。幾何尺寸的檢測(cè)包括硅片的厚度、總厚度變化、彎曲度和平整度的檢測(cè)。厚度為硅片中心上、下表面兩個(gè)對(duì)應(yīng)點(diǎn)之間的距離；總厚度變化為同一硅片上厚度最大值與最小值之差；彎曲度為硅片的中線面與參考平面之間距離的最大值與最小值之差；平整度指硅片表面上最高點(diǎn)與最低點(diǎn)的高度差，用總指示讀數(shù)表征。硅片的熱氧化層錯(cuò)檢測(cè)是指硅拋光片表面的機(jī)械損傷、雜質(zhì)沾污和微缺陷等在硅片熱氧化過(guò)程中均會(huì)產(chǎn)生熱氧化層錯(cuò)，經(jīng)擇優(yōu)腐蝕后，在金相顯微鏡下觀測(cè)熱氧化層錯(cuò)的密度，以此鑒定硅片表面的質(zhì)量